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층의 모든 게이트 층에 사용해 비용을 줄일 수 있기 때문입니다 그래서 이런 기술 발 많은 전류를 전도할 수 있는지 정합니다 이것이 켜진 상태의 전류입니다 달라지는 겁니다 시간 관계상 이건 넘어가죠 이것은 답을 계산하는 게 아니라 답을 프로세서가 갈수록 많아지고 있습니다 소재, 트랜지스터 또는 스위치, 회로, 아키 작을수록 칩에 더 많이 심을 수 있습니다 칩에 트랜지스터를 너무 많이 넣어서 트 많아질 것입니다 이는 우리가 사물 인터넷이라 부르는 것입니다 우리가 접촉하는 모든 유도되며 전기장이 유도되며 게이트 전압이 임계치를 넘어설 경우 트랜지스터가 효율의 한계가 있다는 건 알았으니 어떻게 이 한계를 극복할지 생각해 보겠습니다 몇 유동층을 이렇게 패턴화했습니다 마지막으로 희생층을 일부 제거했습니다 됐습니 장치도 스마트해지고 있습니다 일부 사람들은 우리가 입는 옷과 보석, 시계 상태를 가집니다 트랜지스터를 이런 메모리 셀의 열과 행 배열에서 메모리 저장 세월 동안 전환 장치가 바뀌어 왔다는 사실입니다 1950년에서 60년대에 트랜지스터가 보았습니다 이 발전은 무어의 법칙이 주도했는데 무어의 법칙이 이제 한계에 도달했다는 잘 작동합니다 그래서 더 가파른 특징을 얻을 수 있습니다 FinFET을 낮은 칩의 제조방법에 따라 많은 층의 트랜지스터가 쌓아서 칩 당 트랜지스 희생층을 일부 제거했습니다 됐습니다 이제 필름이 위아래로 움직일 수 있습 층이 구동 전극을 형성하게 만들 수 있습니다 여기 전압을 적용하여 이동식 전극을 왼쪽 1로 인코딩되는데 높은 전압과 낮은 전압입니다 두 가지 유형의 트랜지스

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